據(jù)集邦科技統(tǒng)計,全球前十大晶圓代工廠2021年第四季度產(chǎn)值合計達(dá)295.47億美元,連續(xù)十個季度創(chuàng)下新高。而在半導(dǎo)體產(chǎn)能吃緊的情況下,集邦預(yù)期今年第一季度前十大晶圓代工產(chǎn)值將保持增長態(tài)勢。
其中,第二大廠三星晶圓代工呈現(xiàn)出快速增長態(tài)勢,從下圖可以看出,三星的季增率達(dá)到了15.3%,在前五大廠商中是最高的。此外,三星晶圓代工市占率上升1.1個百分點(diǎn)至18.3%,臺積電則略減1個百分點(diǎn)至52.1%。集邦稱,三星是前五大晶圓代工大廠中,唯一一家在去年Q4市占率擴(kuò)大的廠商,主要是因?yàn)橄冗M(jìn)的5nm/4nm制程產(chǎn)能逐漸完成、大客戶高通旗艦產(chǎn)品開始量產(chǎn),推升三星晶圓代工在去年第四季度營收至55.44億美元。
三星電子財報顯示,受惠于半導(dǎo)體部門業(yè)績亮眼帶動,2021年第四季度營收和獲利皆優(yōu)于預(yù)期,營收更創(chuàng)下歷史新高,幫助三星超越英特爾,登上全球芯片制造龍頭寶座。
三星電子去年Q4營收達(dá)到76.57兆韓元,凈利年增64%。2021全年凈利年增51%,達(dá)到39.9兆韓元,營收年增長18%,達(dá)到279.6兆韓元。2021年,三星電子最賺錢的業(yè)務(wù)非內(nèi)存芯片莫屬,去年半導(dǎo)體部門營收年增29%,達(dá)到94.16兆韓元。
三星在投資人會議上提及各事業(yè)部門進(jìn)展,其中,晶圓代工去年第四季度營收創(chuàng)下新高,主要原因在于增加了大型HPC客戶銷售,并在HPC應(yīng)用中獲得了新訂單。展望2022年首季,三星指出,晶圓代工將專注于提高先進(jìn)制程產(chǎn)量,進(jìn)而提升供應(yīng)穩(wěn)定性。此外,該公司將在2022上半年大量生產(chǎn)第一代GAA制程。
三星表示,公司確認(rèn)了美國泰勒和南韓本地新晶圓廠的擴(kuò)產(chǎn)投資。然而,三星也坦言由于先進(jìn)制程量產(chǎn)爬坡延遲導(dǎo)致成本增加,獲利能力略有下降。
晶圓代工全面發(fā)展
據(jù)DigiTimes報道,自2017年三星將晶圓代工業(yè)務(wù)獨(dú)立后,已從最早的30家客戶成長到100家以上。據(jù)悉,三星的目標(biāo)是到2026年,客戶數(shù)量達(dá)到300家以上,而臺積電2022年的客戶數(shù)量預(yù)計將超過500家。
從目前的形勢來看,2022年晶圓代工市場依舊火熱,而三星將多點(diǎn)開花,全面發(fā)展。三星現(xiàn)階段在汽車和人工智能領(lǐng)域的芯片制造上,仍處于起步階段,這將是未來其晶圓代工是否能繼續(xù)壯大的關(guān)鍵。
三星希望盡快量產(chǎn)3nm制程芯片,以爭取AMD和高通的訂單,預(yù)計未來三年累計資本支出將占其營收的70%左右,而臺積電大概會在50%。目前,三星正在搶購更多的EUV光刻機(jī)。據(jù)統(tǒng)計,截止到2020年,臺積電的EUV光刻機(jī)數(shù)量約40臺,三星則是18臺左右,不到臺積電的一半。預(yù)計2022年三星會購入大概18臺EUV光刻機(jī),拉近與臺積電之間的數(shù)量差距,總數(shù)將達(dá)到臺積電的60%左右。
先進(jìn)制程
在先進(jìn)制程方面,三星一直落后于臺積電,這也給了前者很大的前進(jìn)動力。
三星已經(jīng)量產(chǎn)的最先進(jìn)節(jié)點(diǎn)是5nm,這方面,該公司明顯落后于臺積電,特別是在成熟度和良率方面,去年,采用三星5nm制程的高通Snapdragon 888就出現(xiàn)過熱問題,也輸給臺積電5nm制程的蘋果A14、M1芯片效能表現(xiàn),今年蘋果A15 芯片效能更遠(yuǎn)勝S888。
在4nm方面,三星宣布4LPP將在2022年滿足該公司客戶的要求。由于4LPP依賴于熟悉的FinFET,三星的客戶使用此節(jié)點(diǎn)將容易得多。此前,三星將其4LPE視為其7LPP工藝的演進(jìn)工藝,也許這是因?yàn)?nm比5nm具有非常明顯的PPAc(功率,性能,面積,成本)優(yōu)勢,或者因?yàn)榇嬖趯?shí)質(zhì)性的內(nèi)部變化(例如,新材料,極紫外光刻的使用率顯著提高等)。據(jù)悉,三星在2021年同時提高了其4LPE和5LPP技術(shù)的產(chǎn)量,這使其能夠?yàn)椴煌男酒O(shè)計提供不同的PPAc優(yōu)勢。
3nm方面,三星計劃在2022上半年推出3nm,目前,三星晶圓代工主要客戶包括高通、IBM、英偉達(dá),以及自家的處理器芯片。
三星3nm制程研發(fā)規(guī)劃分為2個階段,第一代的GAA GAE(GAA-Early)與第二代3nm GAP(GAA-Plus),2019年稱3nmGAE制程2020年底前展開風(fēng)險試產(chǎn),2021年開始量產(chǎn),但目前未見蹤影,外界認(rèn)為將延遲到2023年才會量產(chǎn)。
盡管三星晶圓代工營收突破新高,但先進(jìn)制程產(chǎn)能的爬坡稍慢仍侵蝕整體獲利表現(xiàn),集邦認(rèn)為今年第一季度改善先進(jìn)制程產(chǎn)能與良率是當(dāng)務(wù)之急。
成熟制程
三星在近日的年度報告中透露,今年起將擴(kuò)大成熟制程晶圓代工產(chǎn)能,并制定了中長期擴(kuò)產(chǎn)計劃,晶圓代工事業(yè)將鎖定CMOS圖像傳感器(CIS)所需成熟制程產(chǎn)能,進(jìn)而確保新客戶與提高獲利能力。這樣,三星不僅在先進(jìn)制程方面與臺積電爭奪市場和客戶,還要在成熟制程市場提升與聯(lián)電、格芯、中芯國際、力積電等廠商的競爭力度。市場人士解讀,三星因先進(jìn)制程良率持續(xù)面臨瓶頸,才回頭大力發(fā)展成熟制程。
2021年,最緊缺的芯片集中在以28nm制程為主的成熟制程芯片,這使得臺積電罕見地在大陸南京廠擴(kuò)增28nm制程生產(chǎn)線,還在日本熊本縣投資22/28nm制程晶圓廠,顯示出市場對成熟制程芯片的需求緊缺到臺積電也必須回頭擴(kuò)產(chǎn)10年前技術(shù)的生產(chǎn)線。
2021年12月,市場傳出聯(lián)電將啟動新一波長約漲價,漲幅在8%至12%之間,2022年元月起生效。據(jù)中國臺灣《經(jīng)濟(jì)日報》報道,聯(lián)電將于今年3月起調(diào)升全品類晶圓代工報價,漲幅約5%至10%。多家IC設(shè)計公司也證實(shí),收到了聯(lián)電的漲價通知。
據(jù)供應(yīng)鏈分析,聯(lián)電再度漲價的原因有二:一是光阻液等化學(xué)材料與周邊耗材價格持續(xù)升高,加上晶圓代工成熟制程需求持續(xù)火熱;二是新擴(kuò)充的產(chǎn)能來不及滿足客戶需求。
據(jù)悉,聯(lián)電今年的資本支出達(dá)到23億美元,創(chuàng)下放棄先進(jìn)制程研發(fā)以來最高紀(jì)錄,聯(lián)電也攜手大客戶簽下長約,擴(kuò)充在臺南科學(xué)園區(qū)的12英寸廠Fab12A的P5及P6廠區(qū)產(chǎn)能,以給予優(yōu)先提供產(chǎn)能的合作關(guān)系,不僅協(xié)助客戶確保產(chǎn)能供應(yīng),聯(lián)電先前表示,目前長約與單一客戶需求,已經(jīng)達(dá)到訂單三分之二,有信心維持高產(chǎn)能利用率。
在行業(yè)老大臺積電和老三聯(lián)電擴(kuò)產(chǎn)成熟制程的雙重夾擊下,三星也坐不住了,面對全球市場對成熟制程芯片的渴求,該公司決定大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)也在情理之中。而三星在這方面的主要抓手自然是CIS芯片,因?yàn)槠涫袌鲂枨罅烤薮螅胰栽谠鲩L之中,更重要的是,三星的CIS市占率全球排名第二,僅次于索尼,無論是設(shè)計,還是生產(chǎn),實(shí)力都很雄厚,向市場開放一部分代工業(yè)務(wù),是一個不錯的選擇。
據(jù)Counterpoint調(diào)查統(tǒng)計,全球相機(jī)CIS市場收入預(yù)計將在 2022 年增長 7%,達(dá)到 219 億美元,這主要受智能手機(jī)、汽車、工業(yè)和其他應(yīng)用需求增長的推動。
供應(yīng)商方面,預(yù)計索尼將在 2022 年獲得 39.1% 的市場份額,其次是三星的24.9%,第三是豪威科技(12.9%)。
今年,三星有望進(jìn)一步縮小與索尼與之間的差距,因?yàn)榍罢邔⑹芤嬗谄錇橹懈叨酥悄苁謾C(jī)提供具有成本競爭力的超高分辨率圖像傳感器的先發(fā)優(yōu)勢以及積極的產(chǎn)能擴(kuò)張。
在中國尋找新客戶
本周,在股東大會上,三星電子新任共同執(zhí)行長Kyung Kye-hyun透露,晶圓代工業(yè)務(wù)將在中國尋找新客戶。
Kyung預(yù)測,今年芯片及零組件部門的年增長率有望優(yōu)于全球芯片市場的9%,三星會設(shè)法擴(kuò)充產(chǎn)能、滿足吃緊的全球市場。Kyung說,三星的晶圓代工部門將在高增長的中國找尋新客戶,同時也要改善廠房營運(yùn)、擴(kuò)充產(chǎn)能。
在被股東問到5nm制程以下芯片良率偏低的問題時,Kyung說,初步擴(kuò)產(chǎn)需要時間,但運(yùn)作逐漸改善中。他說,制程愈來愈精密,復(fù)雜度也提高了,5nm以下的芯片已逼近半導(dǎo)體裝置的物理極限。
Kyung表示,三星計劃將生產(chǎn)線運(yùn)作優(yōu)化以改善獲利及供給狀況,并持續(xù)提升已開始量產(chǎn)的制程。
拓展摩爾定律
摩爾定律所發(fā)揮的效用越來越弱,業(yè)界都在想辦法解決這一難題,三星也在探索這方面的新技術(shù)。
在2021年底于舊金山舉辦的第 67 屆國際電子器件會議(IEDM 2021)上,三星與 IBM 在“3D at the Device Level”討論環(huán)節(jié)宣布,已攜手在下一代半導(dǎo)體芯片的設(shè)計技術(shù)上取得了重大突破。據(jù)悉,這項(xiàng)突破性的 VTFET 新技術(shù),允許晶體管在垂直方向上堆疊。不僅有助于縮小半導(dǎo)體芯片的尺寸,還能夠使之變得更加強(qiáng)大和高效。
在摩爾定律“1.0”時代,行業(yè)內(nèi)的 CMOS 晶體管都是以橫向方式構(gòu)建的。在經(jīng)歷了數(shù)十年的無數(shù)次工藝進(jìn)步之后,現(xiàn)在可以將數(shù)十億個晶體管放入一枚小巧的芯片中。
然而隨著工藝日漸逼近原子極限,半導(dǎo)體行業(yè)正在向垂直方向積極轉(zhuǎn)進(jìn),受基于溝槽的 DRAM 垂直存取晶體管的啟發(fā),IBM和三星在體硅上使用了所謂的“垂直輸送納米片”(簡稱 VTFET)和 45nm 納米柵極工藝,來制造CMOS元件。

此前的 2D 半導(dǎo)體芯片,都是水平放置在硅表面上的,而電流則沿著水平方向流動。不過得益于 3D 垂直設(shè)計,新技術(shù)將有助于突破摩爾定律的性能限制,以達(dá)成更高的能源效率。與當(dāng)前的FinFET相比,VTFET 有望帶來翻倍的性能、以及高達(dá) 85% 的效率提升。在搞定了柵極長度和間隔尺寸(決定柵極 / 晶體管間距)這兩個關(guān)鍵因素之后,3D 垂直器件設(shè)計方案使得芯片制造商能夠繼續(xù)沿著摩爾定律的方向去發(fā)展。
由于降低了靜電和寄生損耗,VTFET 器件有望提供出色的工作電壓和驅(qū)動電流。研究人員使用了 VTFET 來制作功能性環(huán)形振蕩器。結(jié)果發(fā)現(xiàn),與橫向參考設(shè)計相比,新技術(shù)可減少 50% 的電容。
基于MRAM的內(nèi)存計算
三星的核心業(yè)務(wù)是存儲器,這是其營收的主要來源。因此,該公司一直在該領(lǐng)域的前沿技術(shù)研究方面持續(xù)投入。
例如,今年1月,三星電子宣布,已成功展示世界上首個基于 MRAM(磁阻隨機(jī)存取存儲器)的內(nèi)存計算。這項(xiàng)研究由三星高級技術(shù)研究所(SAIT)牽頭,與三星晶圓代工業(yè)務(wù)和半導(dǎo)體研發(fā)中心合作進(jìn)行。
目前,在內(nèi)存計算方面,開發(fā)方向主要有 RRAM(電阻式隨機(jī)存取存儲器)和 PRAM(相變隨機(jī)存取存儲器)。相比之下,盡管 MRAM 具有操作速度、耐用性和大規(guī)模生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn),但迄今為止很難將 MRAM用于內(nèi)存計算。這種困難來自于 MRAM 的低電阻,由于 MRAM 在標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存計算架構(gòu)中使用時不能享受降低功耗的優(yōu)勢。
三星電子的研究人員通過架構(gòu)創(chuàng)新為這一問題提供了解決方案,他們開發(fā)了一種演示內(nèi)存計算的 MRAM 陣列芯片,通過用一種新的“resistance sum”電阻來取代了傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存計算架構(gòu)中的“current-sum”,解決了單個 MRAM 器件的小電阻問題。隨后,三星的研究團(tuán)隊(duì)通過運(yùn)行這種 MRAM 內(nèi)存計算芯片來測試其性能,以執(zhí)行人工智能計算。該芯片在對手寫數(shù)字進(jìn)行分類時達(dá)到了 98% 的準(zhǔn)確率,在從場景中檢測人臉時達(dá)到了 93% 的準(zhǔn)確率。
結(jié)語
2022年,無論是晶圓代工業(yè)務(wù)中的先進(jìn)制程、成熟制程,還是存儲器,或是前沿半導(dǎo)體技術(shù),以及全球各主要市場的拓展,三星正在全方位拓展其邊界。各領(lǐng)域的競爭對手或?qū)⒏惺艿礁鄟碜杂谌堑膲毫Α!矩?zé)任編輯/鄒琳】
來源:智通財經(jīng)
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小何
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